说实话,世界上估计没有一个国家像中国这样,需要在芯片全产业链上,实现全自主化。其它国家都是整合全球的供应链,制造自己的芯片就行。
而中国因为被美国打压,不得不发展芯片全产业链,避免被卡脖子,全球估计也仅此一家。
(相关资料图)
不过我们也清楚,发展全产业链,确实困难重重,毕竟从砂子变成芯片的过程,需要几十上百种材料,几百种设备,几千道工序,全部要自己掌握,真的太难了。
但好消息是,经过这么多年的发展,目前除了光刻机之外,其它的半导体设备,我们基本上都达到了28nm工艺,有些更是达到了3nm。
这意味着,除了光刻机外,中国大陆在28nm的芯片设备上初步建立了自给能力,基本可以实现国产化了。
我们知道,从砂子变成芯片,非常复杂,其中前道工序是重点,这里的环节主要由芯片代工厂完成,中国大陆的芯片代工龙头是中芯国际。
在代工厂里,这个过程一般分为8个小流程,分别是扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试,这里的设备都非常关键,而美国主要也是在这些环节卡住我们。
但如上图所示,目前这些关键设备中,除了光刻机外,基本上都实现了28nm的量产,还有部分设备达到了3nm,比如中微的刻蚀机、屹唐半导体的去胶机,就达到了5nm,在验证3nm;屹唐半导体的刻蚀设备达到10nm,在验证7nm,盛美半导体的清洁机在验证7nm。
不过也有网友表示,如果光刻机不突破,其它设备突破都是空中楼阁,因为光刻机还在90nm,只要一卡光刻机,其它的就全部卡死了。
所以国产光刻机真的要努力了,已经是全产业链中最短的那块短板,严重拖后腿了。
不过,我们还要注意的是,这里只是半导体设备部分。芯片的制造还离不开EDA,离不开各种IP、各种材料,这些地方我们还有很多的课要补。
比如IP方面,国外品牌占了至少95%的份额,国产芯片IP的份额不到5%。EDA方面,国外品牌占了95%的份额,国产品牌不足5%。还有材料这一块,我们也大量依赖进口,比如光刻胶国产份额不足10%,90%靠进口,同时国产光刻胶最高还只能达到40nm左右。
可见,搞定芯片全产业链真的不容易,需要国产厂商们几十年如一日的坚持,更需要国产厂商们的努力支持,虽然目前进步明显,但路还很漫长。
原文标题:除了光刻机,国产芯片设备基本达到28nm,少部分达到3nm
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