Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率,
验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案
(资料图片)
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓(GaN)功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用,适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑,加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。
不同于同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路,Transphorm 的 SuperGaN® FET由于可以与市售的驱动器搭配使用,更易于驱动,因此可提升客户使用Transphorm器件的成本优势。本次发布的新款解决方案采用高速、非隔离式、高电压半桥栅极驱动器,在不影响 GaN FET 或系统性能的情况下,进一步降低了系统总成本。
Transphorm业务发展和市场营销高级副总裁Philip Zuk表示:“我们的常关型氮化镓平台能够与业界熟知的市售驱动器配合使用,更适合市场应用,也更受市场欢迎。能够根据需要来选定驱动器,对客户来说是一个非常重要的优势。客户可以为不同性能优势权重的设计挑选相应的驱动,从而更好地控制电力系统的成本。这对价格敏感的终端市场尤为重要。Transphorm 的GaN能够提供更高性能,采用我们的氮化镓器件,客户可以根据最终结果来挑选BOM,从而以极佳的成本效益实现所需的性能。”
Transphorm还推荐各种其它驱动器,这些驱动具有高额定隔离电压(控制至输出的驱动信号)、短延迟、快速开启/关断、以及可编程死区时间等等优点,非常适合较高功率的应用。
电源适配器、电竟笔记本电脑充电器、LED照明、以及两轮车和三轮车充电等中低功率应用对价格非常敏感,这些产品中的电源系统通常不需要类似安全隔离这样的先进功能,使用高阶的驱动器可能导致BOM成本不必要升高。
性能分析
该半桥栅极驱动器采用了 Transphorm 的 650 V、72 mΩ PQFN88 封装器件 TP65H070LSG 进行测试。可用于桥式拓扑结构,如谐振半桥、图腾柱 PFC、正弦波逆变器或有源箝位反激式电路。
测试结果表明,无论是否使用散热器或强制空气进行冷却,该低成本的驱动解决方案在低于/等于150kHz 的开关频率下均运行良好。此解决方案最终在选定的配置中实现了接近 99% 的效率。
获取应用指南
如需了解有关上述解决方案的更多详情,请下载Transphorm应用指南AN0014 : 『面向中低功率 GaN FET 应用的低成本、高密度、高电压硅驱动器(Low Cost, High Density, High Voltage Silicon Driver for Low- to Mid-Power GaN FET Applications)。
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。
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