在中国存储芯片企业以最高232层NAND flash抢占市场,同时以猛烈的价格战压得三星、美光举白旗的时候,日前消息指日本刻蚀机企业东京电子突然宣布已研发成功400层NAND flash系统,希望借这些技术扭转劣势。
(资料图片)
中国的存储芯片企业起家于2016年,为了建立自主的技术,中国存储芯片企业从最低层的32层NAND flash技术开始发展,到了2020年研发成功128层NAND flash存储芯片技术,追上了全球主流技术水平。
2022年中国的存储芯片企业二期工程量产,存储芯片产能将翻2两倍,同时存储芯片技术也率先量产232层NAND flash,技术和产能的提升快速降低了成本,中国存储芯片由此开始依靠低成本优势大举抢占市场。
恰在那个时候全球芯片行业出现供给过剩,芯片价格急跌,中国存储芯片不怕芯片下行周期,反而逆周期扩张,给韩国、日本和美国的存储芯片带来巨大的压力。2022年底以来,韩国的三星、美国的美光一度跟进价格战,顽强抵御中国存储芯片的竞争。
但是到了今年一季度,美光先顶不住了,因美光该季度的营收只有40亿美元却亏损了23亿美元,率先表示不再降价;三星随后也表示不会再降价,同时由于库存激增至3400亿元,减产,而在以往三星可是最喜欢逆周期扩张的,可见这场价格战的猛烈。
这次东京电子宣布研发成功400层NAND flash刻蚀系统,将有助于美日韩的存储芯片企业扳回技术劣势,同时依靠更先进的技术也能进一步降低成本,这成为它们避免在存储芯片行业继续沉沦的希望。
由于众所周知的原因,东京电子等日本芯片设备企业生产的23种芯片设备都不能对中国出售,中国存储芯片这次恐怕无法快速提升存储芯片的技术,很可能在未来数年时间都将落后于美日韩存储芯片,让它们获得喘息之机。
不过在存储芯片行业,中国的芯片设备则有一定的优势,中国的刻蚀机企业已研发成功5纳米刻蚀机,在诸多芯片设备当中追上了全球主流技术水准,如此美日韩存储芯片行业先进的刻蚀技术应不会保持太长时间。
同时中国是全球最大的芯片市场,目前国产存储芯片占有的市场份额不过5%左右,即使仅是占领国内市场也还有数倍的增长空间,这都可以为国产存储芯片提供发展的沃土,以及缓冲的机会,美日韩存储芯片将无法依靠先进的技术压制中国存储芯片。
中国的存储芯片产业的发展让海外吃惊,也让他们看到中国芯片的巨大潜力,短短数年时间就从零起步到赶上主流技术水平,说明只要中国芯片行业共同努力,其他芯片技术跟上全球主流水平有很大希望,日本暂时的技术优势只会刺激中国存储芯片加快技术发展,尽快跟上它们的脚步。
原文标题:被中国存储快逼到绝境,日本意图以400层刻蚀技术反超
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