众所周知,目前芯片制造均是采用光刻工艺,而光刻工艺下,光刻胶是非常重要的材料。
光刻胶是一种具有光敏化学作用的高分子聚合物材料,外观上呈现为胶状液体。涂在硅晶圆上,作为抗刻蚀层保护衬底表面。
(资料图)
当光刻机的光线照射至涂了光刻胶的硅晶圆上时,光刻胶就会发生变化,再经过后续的刻蚀等工序之后,电路图就会留在硅晶圆上了。
所以光刻胶在芯片制造中至关重要,同时光刻胶与芯片的工艺、光刻机的光线也是对应的。
目前从市场来看,光刻胶分为g线、i线、KrF、ArF、EUV这么5种,对应着不同的芯片工艺和光刻机的技术。
具体按照工艺来划分的话,g线、i线主要用于250nm以上工艺,KrF一般用于250nm-130nm工艺,ArF一般用于130nm-14nm,而EUV用于EUV光刻工艺,主要用于7nm以下工艺。
从全球市场来看,光刻胶主要被日本厂商垄断,特别是EUV光刻胶,目前全球仅日本厂商能够生产。
2021年市场数据为:在g线/i线、KrF、ArF、EUV光刻胶市场中,日本企业的市占率分别为61%、80%、93%,100%,总体份额超过75%。
而之前有媒体报道称,韩国厂商被日本卡脖子后,奋发图强,也能够生产EUV光刻胶了,但实际在市场上,还没有具体见到。
而中国在光刻胶上面,高度依赖进口,按照机构给出的数据,目前在EUV光刻胶上,中国自给率为0,不过目前国内也生产不了7nm及以下的芯片,没有EUV光刻机,也用不上EUV光刻胶。
而在ArF这种用于130nm-14nm芯片光刻胶上,国产的自给率约为1%,99%需要进口。不过近日有媒体报道称,国产的ArF光刻胶已经有突破了,南大光电已经开发了多款ArF光刻胶在下游客户处验证,制程覆盖28nm~90nm,这算是巨大的惊喜了。
而用于250nm-130nm工艺的KrF光刻胶,国产自给率约为5%,也就是说还有95%要进口,不过这一块也不需太过于担心,国产缺的是产能以及市场份额,不是技术,国外卡不住脖子。
在比较落后的g线、i线光刻胶上面,国产率超过20%了,毕竟这种技术门槛不高,之所以没达到100%国产,原因更多的还是产能影响,不是技术。
可见发展中国芯,光刻胶也是需要突破的,EUV暂且不提,国内暂时也用不上。但是ArF光刻胶,它是用于14nm-130nm的光刻胶,是当前最重要的光刻胶之一了,也是国内最需要的光刻胶,我们可不能被国外卡住了脖子,你觉得呢?
原文标题:国产光刻胶自给率现状:EUV为0%,ArF为1%,KrF为5%
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